抗幹(gan)擾(rao)介質損耗測量(liang)儀(yi)

GH自(zi)動(dong)抗幹(gan)擾(rao)精密(mi)介質損耗測量(liang)儀(yi)

產(chan)品簡(jian)介

GH自(zi)動(dong)抗幹(gan)擾(rao)精密(mi)介質損耗測量(liang)儀(yi)用(yong)於(yu)現場(chang)抗幹(gan)擾(rao)介損測量(liang)，或試驗室(shi)精密(mi)介損測量(liang)。儀(yi)器為(wei)壹體(ti)化結(jie)構，內置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和(he)標(biao)準電容器等。采用(yong)變頻抗幹(gan)擾(rao)和(he)傅(fu)立(li)葉變換(huan)數(shu)字(zi)濾(lv)波技術(shu)，全自(zi)動(dong)智能化測(ce)量(liang)，強幹(gan)擾(rao)下測量(liang)數(shu)據(ju)非(fei)常穩定。測(ce)量(liang)結果由(you)大屏(ping)幕液晶顯(xian)示(shi)，自(zi)帶(dai)微(wei)型打(da)印機(ji)可(ke)打(da)印輸(shu)出。

技術(shu)突破

1）CVT變比可(ke)以(yi)壹鍵(jian)測(ce)量(liang)三個(ge)變比值(zhi)

2）變比值(zhi)的正負(fu)極性(xing)判(pan)斷(duan)

3）彩(cai)屏(ping)觸(chu)摸(mo)（國內(nei)現(xian)在沒(mei)有第(di)二家生(sheng)產(chan)）

4）可(ke)以(yi)自(zi)帶(dai)視頻試驗操作(zuo)

技術(shu)參(can)數(shu)

確度：Cx:±（讀(du)數(shu)×1%+1pF）

tgδ:±（讀數(shu)×1%+0.00040）

抗幹(gan)擾(rao)指(zhi)標：變頻抗幹(gan)擾(rao)，在200%幹(gan)擾(rao)下仍能達到(dao)上(shang)述(shu)準確度

電容量(liang)範(fan)圍(wei)：內(nei)施(shi)高(gao)壓(ya)：3pF～60000pF/10kV60pF～1.2μF/0.5kV

外施(shi)高(gao)壓(ya)：3pF～1.5μF/10kV60pF～30μF/0.5kV

分辨率(lv)：最高(gao)0.001pF，4位(wei)有效(xiao)數(shu)字(zi)

tgδ範(fan)圍(wei)：不限(xian)，分辨(bian)率(lv)0.001%，電容、電感(gan)、電阻(zu)三(san)種(zhong)試品自(zi)動(dong)識別。

試驗電(dian)流範(fan)圍(wei)：10μA～5A

內施(shi)高(gao)壓(ya)：設定電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)：0.5～10kV

最大輸(shu)出電(dian)流：200mA

升降(jiang)壓方式：連續(xu)平滑調(tiao)節(jie)

電壓精度：±(1.5%×讀(du)數(shu)+10V)

電壓分(fen)辨率(lv)：1V

試驗頻率(lv)：45、50、55、60、65Hz單(dan)頻45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自(zi)動(dong)雙變頻

頻率(lv)精度：±0.01Hz

外施(shi)高(gao)壓(ya)：正接(jie)線時(shi)最大(da)試驗電(dian)流5A/40-70Hz反(fan)接(jie)線時(shi)最大(da)試驗電(dian)流10kV/1A/40-70Hz

CVT自(zi)激(ji)法低壓輸(shu)出：輸(shu)出電(dian)壓3～50V，輸出電(dian)流3～30A

CVT變比測量(liang)：

         變比範(fan)圍(wei)：10~99999

         變比精度：±讀(du)數(shu)*1%

         相(xiang)位(wei)範(fan)圍(wei)：0-359.99°

         相(xiang)位(wei)精度：±0.02°

測量(liang)時間：約(yue)30s，與測量(liang)方式有關

輸入電(dian)源：180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市電或發電機(ji)供(gong)電

計算機(ji)接(jie)口：標(biao)準RS232接(jie)口

打印機(ji)：微(wei)型熱敏打印機(ji)

環境溫(wen)度：-10℃～50℃

相(xiang)對濕(shi)度：<90%，不結露(lu)